Sensofar 三維共焦干涉顯微鏡用于半導(dǎo)體檢測(cè)

全新設(shè)計(jì)的三維共聚焦干涉顯微鏡S neox屬于多功能非接觸式3D光學(xué)輪廓儀，*覆傳統(tǒng)，將共聚焦技術(shù)、白光干涉和多焦面疊加等3種三維測(cè)量技術(shù)融于一身，測(cè)量頭內(nèi)無運(yùn)動(dòng)部件，極大拓展了3D測(cè)量的范圍，拓寬了3D輪廓儀的應(yīng)用范圍。

新型的三維共聚焦干涉顯微鏡S neox能夠測(cè)量不同的材質(zhì)、結(jié)構(gòu)、表面粗糙度和波度，幾乎涵蓋所有類型的表面形貌。它的多功能性能夠滿足*端三維形貌測(cè)量?jī)x廣泛的應(yīng)用。配合SensoSCAN軟件系統(tǒng)，用戶將獲得難以置信的直觀操作體驗(yàn)。

關(guān)于在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用，我們通常集中在制造過程的后端封裝環(huán)節(jié)：Sensofar的產(chǎn)品可以用來表征關(guān)鍵尺寸，表征材料的粗糙度，以及進(jìn)行缺陷檢測(cè)等。

1碳化硅基晶圓檢測(cè)

由于其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性與特殊的電子傳輸特性，以碳化硅基晶圓為基礎(chǔ)的芯片在很多新興電子器件比如說5G通訊等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

在制備碳化硅基集成電路時(shí)，通常采用的是化學(xué)氣相沉積技術(shù)。對(duì)其表面形貌的測(cè)量與表征對(duì)于了解其晶體生長(zhǎng)過程是否均勻很有必要。SensoVIEW可以通過ISO標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的各空間，高度，以及混合參數(shù)來表征材料的形貌。

2蝕刻電路

在蝕刻工藝之后，通常需要評(píng)估所得特征的高度。

SensoPRO 軟件中的 Step Height 插件通過檢測(cè)形貌中的兩個(gè)不同高度的平面來計(jì)算該臺(tái)階高度。無論分析的圖案如何，都可以立即識(shí)別出該臺(tái)階特征。

為了確保測(cè)量的*佳精度，該處使用了 干涉測(cè)量法。

33D十字切口

衡量芯片分割的質(zhì)量通常有兩個(gè)主要參數(shù)來表征：高度，以確保底部沒有被損壞；寬度，這是衡量切割質(zhì)量的標(biāo)準(zhǔn)。

Cross kerf 插件不僅可以檢測(cè)十字并提取所需的參數(shù)，還可以調(diào)平表面以確保晶圓中的現(xiàn)有角度不會(huì)影響提取的數(shù)據(jù)。

對(duì)于此應(yīng)用，這些分割特征的高縱橫比使得測(cè)量非常具有挑戰(zhàn)性，只有 Ai Focus Variation 才能合適的解決此應(yīng)用中存在的問題。

4鈍化層孔

鈍化層上的孔決定了芯片與引線鍵合的通路?？撞寮梢詼y(cè)量直徑從50微米到2毫米的孔，在此應(yīng)用中非常實(shí)用。

5孔內(nèi)薄膜厚度

S neox 擴(kuò)展了反射光譜儀的應(yīng)用，因?yàn)樗梢允褂玫椭?微米的光斑測(cè)量直徑非常小的孔上的薄膜厚度！

6通過表面測(cè)量管控晶片翹曲

該晶圓經(jīng)過了不同的工序，其表面有不同的特征點(diǎn)。

紋理化工藝處理使得這些特征點(diǎn)表面非常粗糙，因此可以用 S wide來測(cè)量。

在高溫環(huán)境實(shí)施的外延生長(zhǎng)薄膜工藝使得晶圓有可能產(chǎn)生變形。為了評(píng)估這一點(diǎn)，我們用SensoVIEW測(cè)量了特征結(jié)構(gòu)之間的距離，看它們是否符合預(yù)期的長(zhǎng)度，由此來判斷晶圓是否有形變。