| 參 數(shù) 項 | 最小 | 最大 | 標準 | 條件 | |
| 輸出功率（mW） | - | 10 | 5 | CW工作 | |
| 波長（nm） | 395 | 415 | 405 | 光輸出5mW | |
| 閾值電流（mA） | - | 65 | 45 | CW工作 | |
| 工作電流（mA） | - | 70 | 50 | 光輸出5mW | |
| 積分效率（mW/mA） | 0.5 | - | 0.8 | CW工作 | |
| 工作電壓（V） | - | 6 | 5 | 光輸出5mW | |
| 光速發(fā)散角 | 水平（θ//） | 16 | 11 | - | |
| 垂直（θ┸） | 34 | 27 | - | ||
| 監(jiān)視電流（mA） | - | 0.1 | - | ||
自1998年日亞公司率先將紫光LD的壽命突破10000小時以后,日本的富士通、松下以及美國的Cree、HP、SDL、施樂、西北大學以及波斯頓大學等也加入了這種器件的研發(fā)行列,這使得紫光LD的市場競爭日趨激烈。
3.3 集成雙波長LD
1997年出現(xiàn)了采用2光束LD的DVD/CD/CD-R光頭,
但當時由于技術(shù)難度大并需要新的設(shè)備投資以及DVD需求量有限等緣故,大多只停留在研制水平。然而,1999年6月8日索尼計算機公司發(fā)布了用于“Playstation2（游戲機）”的雙波長半導體激光器的消息并引起轟動之后,東芝、夏普、松下、三洋、三菱、羅姆等日本廠家都紛紛做出了日程表以加快雙波長LD的開發(fā)。
雙波長LD是一種用單片集成或混合集成的方法將近紅外LD和紅光LD集成在一體的激光器組件,其結(jié)構(gòu)如4所示。單片集成型（圖4（a））是利用MOCVD技術(shù)在GaAs襯底上選擇生長Alx-Ga1-xAs和AlxGayIn1-x-yP兩種不同有源層而形成的,最后封裝在標準的5.6mm直徑4針管殼中。單片集成的優(yōu)點是發(fā)光點間隔由光刻工藝確定,定位精確,誤差范圍可控制在±1μm以下。而混合集成型（圖4（b））是把用精密組裝設(shè)備做好的近紅外LD和紅光LD并排放置于Si襯底的焊接劑上,然后通過熱焊接等方法固定,從而形成混合組件�；旌霞尚推骷膬�(yōu)點是可以自由組合不同的波長和不同的輸出功率,最適合于今后制作包括400nm紫光LD在內(nèi)的多波長LD。目前,索尼、東芝等公司已有單片集成型的產(chǎn)品報道,其產(chǎn)品性能如表3所列。
表3 單片式雙波長LD產(chǎn)品性能
