摘要：半導體激光器（LD）作為讀取光盤信息的光源,是CD、DVD播放機/ROM等光系統(tǒng)的重要器件,它的性能往往決定系統(tǒng)的整體性能。文中敘述了光盤用LD的發(fā)展歷程及特點,并著重介紹了近紅外、紅光、紫光LD及雙波長LD的開發(fā)現(xiàn)狀。

    關(guān)鍵詞：LD  CD  DVD  光盤系統(tǒng)

1 光盤系統(tǒng)用LD的發(fā)展歷程

    光盤讀出用的半導體激光器起源于1970年出現(xiàn)的室溫連續(xù)振蕩780nm波長近紅外AlGaAs雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)（DH）LD[1],繼這種沒有限制振蕩區(qū)域的全面電極器件之后,為們還開發(fā)出了將電流和增益分布限制在條形區(qū)從而使振蕩模穩(wěn)定的增益波導型器件[2],70年代后期又出現(xiàn)了在結(jié)的平行方向上有折射率分布的折射率波導結(jié)構(gòu)[3],這便是現(xiàn)在光盤系統(tǒng)用LD的基本結(jié)構(gòu)。1982年日本先鋒公司用夏普公司制造的這種近紅外LD代替氣體激光管,并將其安裝在CD播放機上,從此LD作為光盤讀出光源的時代正式到來了。隨著光盤的高密度化,LD也向短波長方向發(fā)展。1985年,以kobayashi小組為首的多個研究機構(gòu)采用AlGaInP材料成功地實現(xiàn)了670nm紅光LD的室溫連續(xù)振蕩,1992年Hiroyama等人又開發(fā)出了630nm紅光LD,這種紅光LD就是現(xiàn)在用于DVD的光源。而中村等人研制的400nm紫光InGaNLD更是舉世矚目。這種400nm紫光InGaN激光器將最有可能成為下一代高密度光盤用光源。為了簡化DVD光頭結(jié)構(gòu)并增強速機的穩(wěn)定性,1999年,索尼、東芝等公司又推出了集成有兩個LD的雙波長LD激光器。這樣,從1972年飛利浦公司采用兩張30cm直徑丙烯片背向貼合而成的記錄模擬信號的光盤雛形發(fā)展到1982年10月和1996年11月上市的CD、DVD數(shù)字光盤,光源也相應地從633nm的He-Ne氣體激光器演變成780nm近紅外、650nm紅光甚至更短波長的半導體激光器或集成化器件。

2 LD用于光盤系統(tǒng)應具備的特性

    在用LD讀取光盤信息時,該LD應具備以下特性。

2.1 振蕩波長

    若用d表示激光束光斑直徑、λ表示振蕩波長、NA表示物鏡的數(shù)值孔徑,則d正比λ/NA,即λ越小或NA越大,斑點越小,光盤存儲密度越高。從CD到DVD,波長從780nm縮短為650nm,NA從0.45增大到0.6,光斑直徑從2.1μm減小到1.3μm,存儲容量從640MB提高到了4.7GB/單面。如果使用400nm紫光LD,則光盤容量可高達15GB/單面。可見,波長越短,光盤存儲密度越高。

2.2 電-光輸出

    電-光輸出特性包括光輸出、閾值電流、工作電流等。如果用于光盤回放,則光輸出至少要達到2～8mW,如果用于光盤寫入,則光輸出必須在30mW以上。而閾值電流和工作電流則越低越好。

2.3 振蕩模式

    振蕩模應選用基本橫模,并應將電流注入?yún)^(qū)控制為數(shù)μm以形成適當?shù)墓庀拗平Y(jié)構(gòu)。

2.4 噪聲

    要減小光盤反射光返回到激光器產(chǎn)生的回光噪聲,就必須使激光振蕩模多�；�。

2.5 可靠性

    在用于一般光盤系統(tǒng)時,LD的工作溫度應在60℃以上,而且于計算機光盤裝置則要求在70℃以上。在60℃或70℃的溫度條件下,還要求LD的平均壽命必須達到5000～10000h以上。其中波長主要取決于材料,其余特性往往是通過精確的結(jié)構(gòu)控制來獲得,因此激光器的晶體生長通常采用有利于控制外延層的金屬有機化學汽相淀積（MOCVD）或分子束外延（MBE）技術(shù)來完成。

3 光盤系統(tǒng)用半導體激光器

3.1 AlGaAs LD與AlGaInP LD

    AlGaAs近紅外LD與AlGaInP紅光LD兩種器件的基本晶體層結(jié)構(gòu)如圖1所示。近紅外LD結(jié)構(gòu)一般用2次外延生長完成,通過精確控制各層的厚度和載流子濃度,即可獲得CD光盤所必需的各種特性。目前這種器件主要致力于30mW以上的高輸出研究,以滿足CD-R-RW光盤刻錄系統(tǒng)。要提高光輸出,就必須避免激光射出端的端面損傷并降低工作電流。防止端面損傷一般采取加寬有源層光限制區(qū)、增大光束直徑來減小面光密度的方法。為了使橫模穩(wěn)定,起初采用可吸收激光的GaAs作電流阻擋層,但由于激光被吸收后增大了光損耗、閾值電流和工作電流,于是改用比包層Al組分更大的AlGaAs作電流阻擋層,這樣既可利用包層和阻擋層Al組分不同產(chǎn)生的折射率差來控制橫模,又由于阻擋層不吸收光而能使工作電流進一步減小。因此,通過光限制區(qū)和電流阻擋層以及諧振器長、端面反射率的改進,終于在1995年成功地開發(fā)出光輸出達70mW的器件,并迅速實現(xiàn)了商品化。

    紅光LD應該你是近紅外LD技術(shù)積累的結(jié)果,從晶體生長、結(jié)構(gòu)控制到成品,紅光LD都沿用了近紅外LD的某些制作技術(shù)。與近紅外DL相比,紅光LD改用帶隙較大的AlGaInP四元材料作有源層來縮短波長,并采用能精確控制橫模的脊形結(jié)構(gòu),因此結(jié)構(gòu)更為復雜。如果只是單純的雙異質(zhì)結(jié)構(gòu),由于導帶電子的異質(zhì)勢壘小,因此溫度越高,注入電子越容易從有源層溢出到包層,這將使高溫下的工作電流增大。80年代后期,近紅外LD有源層引入多量子阱超晶格（MQW）結(jié)構(gòu)（由數(shù)百A厚的不同組分的晶體層反復交叉積層而形成的疊層結(jié)構(gòu)）,從而有效減小了有源層的光吸收、降低了閾值電流。于是人們把超晶格也引入到InGaAsP紅光LD,并進一步調(diào)整超晶格的組分以使襯底的晶格常數(shù)與有源層的晶格常數(shù)發(fā)生微妙變化,這樣便使有源層中形成了壓縮應變的超晶格。實驗證明：若產(chǎn)生0.5%的壓縮應變,閾值電流可減少25%,而且隨著閾值電流的降低,閾值電流與溫度的相關(guān)特性也得到了大幅改善。另外,為了改善噪聲特性,必須將原本單模的紅光LD變成多模。含過飽和吸收層的AlGaAs近紅外自脈動激光器（見圖1（a））就是基于這一技術(shù)開發(fā)出來的,并以其極低的噪聲受到好評。自脈動激光器利用過飽和吸收層的繼續(xù)義吸收機理使得出射光波斷斷續(xù)續(xù),從而變成多模型,即使光盤反射光返回到LD也不會影響激光振蕩,從而使噪聲降低。后來人們把過飽和吸收層也引入到AlGaInP紅光LD,進而開發(fā)出了自脈動型紅光LD。自脈動激光器以其良好的噪聲特性必將是今后光盤用LD的發(fā)展方向。目前,近紅外LD和紅光LD已發(fā)展成熟。并達到商品化,它們的主要技術(shù)參數(shù)性能如表1所列。

表1 近紅外LD和紅光LD性能比較