RF Micro Devices, Inc. （納斯達(dá)克代號(hào)：RFMD）,一家居于領(lǐng)先地位的無(wú)線通訊產(chǎn)品專用射頻集成電路 (RFICs) 供應(yīng)商,今天宣布推出RF3140,一種具有集成功率控制電路的高效四頻段功率放大器 (PA) 模塊。
RF3140代表了RFMD PowerStarÔ功率放大器模塊系列的第二代產(chǎn)品,這些產(chǎn)品均具有以集電極控制為基礎(chǔ)的功率控制功能,為業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的GSM功率放大器集成功率控制方法。第一代PowerStarÔ功率放大器模塊,即三頻段的RF3110,于2001年9月推出,到目前為止已經(jīng)售出數(shù)百萬(wàn)顆。RF3140增強(qiáng)了RF3110的性能,在未增加封裝面積的同時(shí)增加了四頻段功能。RF3110和RF3140均不需要定向耦合器、二極管檢波器、功率控制專用集成電路（ASICs）和其他功率控制電路,可為制造商減少元件數(shù)目,簡(jiǎn)化電話校準(zhǔn)工序,提高生產(chǎn)率,改善生產(chǎn)設(shè)備利用率,縮短產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間。
RF Micro Devices功率放大器產(chǎn)品總監(jiān)Joe Grzyb指出：“RF3140是現(xiàn)有性能最佳的PowerStarÔ功率放大器模塊。它不僅能降低成本,簡(jiǎn)化電話設(shè)計(jì)和制造,由基帶芯片上數(shù)字模擬變換器（DAC）輸出直接驅(qū)動(dòng)模塊,而且能減少我們客戶的工程設(shè)計(jì)時(shí)間,降低產(chǎn)品測(cè)試資源的消耗,因此進(jìn)一步縮短產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間。例如,PowerStarÔ功率控制方法能夠使一流手機(jī)制造商減少產(chǎn)品線末端校準(zhǔn)時(shí)間達(dá)50%以上,并提高產(chǎn)出率,因此提高設(shè)備利用率和生產(chǎn)量,上述結(jié)果均可在整體上降低生產(chǎn)總成本�！�
功率控制中采用的集電極控制在設(shè)計(jì)上可達(dá)到歐洲電信標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)（ETSI）對(duì)瞬態(tài)譜和突發(fā)定時(shí)的嚴(yán)格規(guī)定。與電流檢測(cè)和功率檢測(cè)等其他功率控制方法不同,集電極控制不需要外部元件,而且在各種溫度、頻率和電壓狀況下變異極小。因此,PowerStarÔ功率放大器模塊為手機(jī)制造商提供最健全和連貫一致的突發(fā)定時(shí)和瞬態(tài)譜性能,這些特點(diǎn)是歐洲電信標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)對(duì)蜂窩電話全型認(rèn)證（或稱FTA）的主要要求。
RF3140用于單頻段和多頻段GSM 850、EGSM、DCS和PCS手?jǐn)y式數(shù)字蜂窩電話中的末級(jí)射頻放大器以及824 MHz到849 MHz、880 MHz到915 MHz、1710 MHz到1785 MHz 和1850 MHz到1910 MHz頻段的其他產(chǎn)品。RF3140中包括達(dá)到所有頻譜和突發(fā)定時(shí)要求的全集成高壓硅CMOS功率控制回路,配有50歐姆的輸入和輸出端。為了簡(jiǎn)化工程設(shè)計(jì),縮短開發(fā)周期,RF3140還包括有軟件工具,可使工程師立即計(jì)算功率上升曲線。
RF3140是用RF Micro Devices先進(jìn)的下一代GaAs HBT處理技術(shù)制造的。硅CMOS處理技術(shù)用于整合功率控制電路。該模塊可封裝于10 x 10毫米的小型無(wú)引線芯片封裝內(nèi),占用的機(jī)板空間極小。目前,RFMD 可提供樣品和裝配完整的試用板。 |
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