影響DRAM速度的參數(shù)較多,但選擇DRAM主要是根據(jù)tRAS。一般選擇50ns或60ns的DRAM就可以滿足要求。

SL11R隨機(jī)讀寫DRAM的周期時(shí)間tRC在PCLK為32MHz時(shí)為150ns;PCLK為48MHz時(shí)為100ns。經(jīng)測(cè)試,DMA方式下,DRAM的讀寫速度可以達(dá)到6MHz,滿足常用的數(shù)據(jù)采集要求。

    DRAM的快速頁面讀寫是指在DRAM的同一個(gè)頁面下,即行地址相同時(shí),DRAM保持行地址不變,只尋址列地址,這樣可以減少發(fā)送行地址的時(shí)間。使用快速頁面讀寫必須十分小心,因?yàn)樵跀?shù)據(jù)采集等場(chǎng)合,寫數(shù)據(jù)時(shí)頁面發(fā)生變化會(huì)影響DRAM的讀寫時(shí)間,很可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)。

SL11R擴(kuò)展外部存儲(chǔ)器的能力較強(qiáng),可以方便地?cái)U(kuò)展I2C接口的串行存儲(chǔ)器、各種速度的靜態(tài)存儲(chǔ)器以及大容量的DRAM。配合SL11R的USB接口和快速的處理能力,可以滿足各種應(yīng)用的需要。