產(chǎn)品詳情
刻蝕的主要工藝參數(shù)有：刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差、選擇比、哈默納科真空設(shè)備諧波齒輪CSF-50-160-2UH均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導(dǎo)損傷、顆粒玷污和缺陷。
1.干法刻蝕
在半導(dǎo)體制造中，干法刻蝕是用來去除表面材料的最主要的刻蝕方哈默納科真空設(shè)備諧波齒輪CSF-50-160-2UH法。干法刻蝕是把硅片表面暴露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口與硅片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)，從而去掉暴露的材料。
一個等離子體干法刻蝕系統(tǒng)由發(fā)生刻蝕反應(yīng)的反應(yīng)腔、一個產(chǎn)生等離子體的射頻電源、氣體流量控制系統(tǒng)、去除刻蝕生成物和氣體的真空系統(tǒng)等組成。刻蝕反應(yīng)系統(tǒng)包括傳感器、氣體流量控制單元和終點觸發(fā)探測器。哈默納科真空設(shè)備諧波齒輪CSF-50-160-2UH一般的干法刻蝕中的控制參數(shù)包括真空度、氣體混合組分、氣流流速、溫度、射頻功率和硅片相對于等離子體的位置
