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嘉 定本地上門回收二手拆機英飛凌西門康IGBT模塊廠家

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第3年

昆山平娜物資回收利用有限公司

實名認證 企業(yè)認證
  • 企業(yè)地址：昆山開發(fā)區(qū)蓬朗瓦浦河路西側
詳細參數
品牌/廠家其他安裝類型通孔
封裝/外殼其他反向恢復時間 (trr)其他

產品詳情

嘉定本地上門回收二手拆機英飛凌西門康IGBT模塊廠家，電話：13381583360

本公司長期回收IGBT模塊、回收新舊IGBT模塊，IGBT是以GTR為主導元件，MOSFET為驅動元件的達林頓結構的復合器件。其外部有三個電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發(fā)射極。   在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現對IGBT導通/關斷/阻斷狀態(tài)的控制：   1、當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關斷狀態(tài)；   2、當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)；   3、當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：   1)若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)；   2)若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態(tài)（正常工作）。此時，空穴從P 區(qū)注入到N基區(qū)進行電導調制，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。

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