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進(jìn)相器可控硅燒壞的解決方法
對(duì)于進(jìn)相器晶閘管（進(jìn)相器可控硅）是否損壞的正確檢測(cè)方法：
從裝晶閘管的風(fēng)道內(nèi)引出并用M4的螺絲固定在絕緣板上的為晶閘管的觸發(fā)極，而接有觸發(fā)線(xiàn)的那個(gè)散熱器端子為晶閘管的陰極。而判斷晶閘管好壞的簡(jiǎn)易辦法是測(cè)其各極間的電阻。
好的晶闡管各極間電阻如下：
觸發(fā)極與陰極一幾十歐姆；
觸發(fā)極與陽(yáng)極一幾十千歐；
陰極與陽(yáng)極一幾十千歐；
不滿(mǎn)足上述情況，即可判定晶閘管壞！所以為了避免進(jìn)相器可控硅容易燒壞，向大家介紹一下幾個(gè)解決辦法，希望能對(duì)大家有所幫助。
國(guó)產(chǎn)可控硅（晶閘管）的耐壓一般不會(huì)超過(guò)1500V!而3550KW(10KV)電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)子開(kāi)路電壓為1470V,接近可控硅的耐壓極限，在進(jìn)相切換時(shí)，如果可控硅的參數(shù)偏差較大時(shí)，很容易造成某一對(duì)可控硅擊穿！通常是（－C,+A),(-A,+B),(-B,+C)其中的一對(duì)擊穿，同時(shí)對(duì)應(yīng)可控硅并聯(lián)的阻容吸收回路必定擊穿。
進(jìn)相器可控硅容易燒壞的解決辦法：
1,挑選參數(shù)盡量一致的可控硅元件?？煽毓枘蛪毫?、5-2倍余量
2,適當(dāng)加大阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)。
3,適當(dāng)控制電源電壓，避免啟動(dòng)進(jìn)相機(jī)時(shí)的過(guò)電壓現(xiàn)象
4.散熱要好。
