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MEGA技術(shù)支持移動(dòng)設(shè)備與汽車(chē)應(yīng)用
MEGA技術(shù)支持移動(dòng)設(shè)備與汽車(chē)應(yīng)用
 更新時(shí)間:2008-8-18 14:50:22  點(diǎn)擊數(shù):15
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動(dòng)導(dǎo)航設(shè)備、可拍照手機(jī)、汽車(chē)防盜系統(tǒng)等,都是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)。系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面的主要目標(biāo)是設(shè)計(jì)可充電電池的多功能移動(dòng)裝置,以及滿足汽車(chē)產(chǎn)業(yè)對(duì)降低成本、節(jié)省能源、縮小體積與重量等方面要求的產(chǎn)品。為此,飛利浦半導(dǎo)體研發(fā)MEGA Schottky二極管(Maximum Efficiency General Application),搭配改良型分離式“Low VCEsat (BISS)”晶體管(Breakthrough In Small Signal),并成功整合到各種模塊當(dāng)中。

   二極管與晶體管最重要的改良就是大幅降低封裝尺寸以及減少功耗。使用新型MEGA肖特基二極管,新封裝尺寸不到原來(lái)的一半,如圖1所示。傳統(tǒng)的SMA封裝可替換成較小的SOD323或面積小于2mm×2.45mm的薄型SOT666封裝。另一方面的好處就是低VCEsat晶體管需要的封裝體積遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)的雙極型晶體管,從而降低90%的電路板空間,且不會(huì)降低晶體管的性能。
   在使用新組件后,可以開(kāi)發(fā)更高效、體積更小的電路。持續(xù)增加的成本壓力也使該技術(shù)會(huì)更受業(yè)內(nèi)的青睞。
   MEGA肖特基二極管與標(biāo)準(zhǔn)的肖特基二極管的區(qū)別在于它產(chǎn)生較小的正向電壓(forward voltage)并采用較小的封裝(例如SOD323封裝的PMEG1020EA,正向電流IF可達(dá)2A)。目前的研發(fā)重點(diǎn)集中在SOD323(SC-76)、SOT666封裝,以及SOD523(SC-79)封裝,內(nèi)部的封裝尺寸讓晶片尺寸能發(fā)揮最大的使用效率。采用這些二極管與晶體管后的電路能達(dá)到極高的效率。

   此外,MEGA肖特基二極管和低VCEsat晶體管的耗電大幅降低,使發(fā)熱量和溫度顯著降低。由于晶體采用特殊架構(gòu),讓組件具備較高的集電極電流及較高的電流增益。故低VCEsat晶體管的消耗功率能大幅降低,并在極低的飽和電壓下工作。SOT23封裝的PBSS8110T在電流增益hFE達(dá)到80后,其集電極電流IC達(dá)到1A。脈沖電流ICM可提高至3A,飽和電壓VCEsat則低于200mV。
   組件采用的技術(shù)能加大發(fā)射板的表面積。名為“發(fā)射網(wǎng)”的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)能降低電阻。由于使用優(yōu)化過(guò)的材料,采用SOT666封裝的新型晶體管(PBSS4240V/5240V/4140V/5140V)具備極低的功耗。
    低VCEsat晶體管提供大幅提升的輸出,效能超過(guò)封裝尺寸固定的傳統(tǒng)雙極晶體管。例如采用SOT23封裝的PBSS4350T,其集電極電流IC提高了600%,且飽和電壓比BC817等標(biāo)準(zhǔn)雙極晶體管降低了88%,如圖2所示。此外,新組件采用了更穩(wěn)定的工藝,可獲得高集電極電流,并與電流增益加大的類(lèi)型有關(guān)。
   現(xiàn)已問(wèn)市的產(chǎn)品包括二極管PMEG系列以及晶體管PBSS系列,兩者尤其適合搭配作為PMEM系列組件整合至各種模塊。優(yōu)異的性能使低VCEsat晶體管特別適合應(yīng)用在驅(qū)動(dòng)器以及電子開(kāi)關(guān)等裝置,可取代昂貴的MOSFET晶體管。
   使用整合型模塊能獲得節(jié)省空間以及經(jīng)濟(jì)的設(shè)計(jì)產(chǎn)品。以往需要采用兩組內(nèi)含變壓器功能的分離組件來(lái)提供所需的電壓,如今僅需一組組件。
   MEGA肖特基二極管采用沒(méi)有鍵合線的封裝技術(shù),如圖3所示。除了封裝結(jié)構(gòu)上的優(yōu)勢(shì)外,它還具備高散熱效率、更高的脈沖電流以及更高的脈沖容量。它通常會(huì)產(chǎn)生較高的電流應(yīng)變,一方面提高了脈沖應(yīng)力,另一方面提高了連續(xù)額定值。因此,這些封裝同樣適合用來(lái)為組件提供ESD保護(hù),并能處理很高的脈沖強(qiáng)度。
   低VCEsat晶體管效率也不斷提升,飛利浦半導(dǎo)體推出的晶體管其集射電壓VCE0可達(dá)到100V,集極電流IC則提高至7A。整合低VCEsat晶體管與MEGA肖特基二極管的小型封裝模塊將滿足市場(chǎng)對(duì)于體積和效能的更高要求。
 

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