2004年9月A版

在下一代存儲器的開發(fā)中,強電介質(zhì)存儲器MRAM(磁膜RAM)、OUM(雙向一致存儲器)是最有力的修補者,多家公司都進(jìn)行產(chǎn)品化。不過各家公司的產(chǎn)品戰(zhàn)略有所不同,其產(chǎn)品或邏輯電路與強電介質(zhì)存儲器結(jié)合而成系統(tǒng)LSI,或做成替代EEPROM、內(nèi)存及DRAM的單個存儲器。

強電介質(zhì)存儲器(FERAM/FRAM)為非易失性存儲器,除了象DRAM及SRAM一樣無需數(shù)據(jù)保持電源外,比起同樣非易失的閃速存儲器及EEPROM來,在寫入時間、寫入電壓、耐改寫性(寫入次數(shù))、數(shù)據(jù)保存時間方面也十分優(yōu)越。在晶體管組成上,相對于通常EEPROM的2晶體管/單元,SRAM的6晶體管/單元,它可以1晶體管/單元。此外,EEPROM,閃速存儲器還需要數(shù)據(jù)消去操作,強電介質(zhì)存儲器卻不需要。

由于如此優(yōu)越的性能,日本韓國北美等許多半導(dǎo)體廠商早就在探索強電介質(zhì)存儲器的產(chǎn)品化了,不過,目前仍未實現(xiàn)批量生產(chǎn)。其最大的原因在于強電介質(zhì)膜的成膜工藝尚未成熟到適合批生產(chǎn)的水平。目前進(jìn)入產(chǎn)品化(含樣品化)的僅限于部分廠家,即富士通、松下電器、羅姆、Infineon Technologies、Ramtron International Hynix Semiconductor等。不過,各公司的產(chǎn)品戰(zhàn)略有所不同,富士通及松下電器著力于邏輯電路與強電介質(zhì)存儲器混合的系統(tǒng)LSI,而Ramtron及Hynix則瞄著替代EEPROM、閃存、DRAM的單個存儲器。

系統(tǒng)LSI是日本廠商傾力以往的領(lǐng)域,其最大的旗手是富士通。該公司從1999年底便領(lǐng)先各家公司進(jìn)行了強電介質(zhì)存儲器的產(chǎn)品化,正在實現(xiàn)電介質(zhì)存儲器與CPU、掩膜型ROM、SRAM等單片化的系統(tǒng)LSI產(chǎn)品。

系統(tǒng)LSI安裝強電介質(zhì)的存儲器的用途中最期待的是IC卡。比起信用卡、現(xiàn)金卡等已有的磁卡來,IC卡除可存儲大容量信息外,安全管理也極佳�，F(xiàn)金卡是帶著走的財產(chǎn),失落時的安全管理當(dāng)然不夠。IC卡已實際用于鐵路車票及電子現(xiàn)金等支付領(lǐng)域,今后隨著基礎(chǔ)設(shè)施的擴充完善,將漸普及開來。

目前針對IC卡的程序存儲器廣泛采用著EEPROM,采用強電介質(zhì)存儲器的情況尚不多見。其主要原因之一是強電介質(zhì)的存儲器是一項新技術(shù),產(chǎn)品的認(rèn)知度還低。另外較之EEPROM還有生產(chǎn)成本高一些的缺點。

但是另一方面,今后卻可能把下載大容量數(shù)據(jù)之類的使用方法正規(guī)化,其有力的應(yīng)用就是多用途卡。所謂多用途卡就是以一張卡來完成過去現(xiàn)金卡、信用卡、ID卡、針對交通機構(gòu)的支付卡等需要多張卡的任務(wù)。由于一張卡中存儲了每個人的個人數(shù)據(jù),當(dāng)然安全是最重要的,而下載龐大的數(shù)據(jù)時的下載時間也就重要了。因此,寫入速度比EEPROM快一萬倍的強電介質(zhì)存儲器是人們所希望的。而就生產(chǎn)