LED電流的調(diào)整

圖3電路在閃光和攝像模式時(shí)的LED電流可通過外部電阻來進(jìn)行調(diào)節(jié)。

在閃光模式,LED電流的大小由位于STB和GND之間的電阻RSTB來設(shè)置。在該模式,芯片STB端的電壓VSTB應(yīng)調(diào)至0.6V,此時(shí),LED中流過的電流與STB腳電流的增益比理論上可以達(dá)到1000。而實(shí)際上,通過RSTB設(shè)置LED電流的大小由下式給出比較合適：

RSTB=600/ILED(DESIRED)

而在攝像模式,LED電流的大小則由位于MOV和GND之間的電阻RMOV來決定。該模式時(shí),芯片MOV端的電壓VMOV亦應(yīng)調(diào)至0.6V,但其LED電流與MOV腳電流的理論增益則為100,通過RMOV設(shè)置LED電流的實(shí)際計(jì)算公式應(yīng)為：

RMOV=60/ ILED(DESIRED)

充電電容器及電流限制

在閃光模式,MAX1583中的電流必須經(jīng)過快速轉(zhuǎn)換器處理才能獲取所需的LED閃光電流。但MAX1583有250mA、500mA及1A等三個(gè)出廠預(yù)設(shè)電流限制。因此,電路在工作時(shí),一旦LED電流高于芯片的電流門限值,MAX1583內(nèi)部的MOSFET將在極短時(shí)間內(nèi)關(guān)斷以使輸出電流下降,從而完成一次閃光操作。實(shí)際上,設(shè)計(jì)時(shí)可通過OUT和GND 之間的充電電容來獲得更大的LED電流,該充電電容器的電容值可由下式計(jì)算：

CRES=(ILED IBOOST)tSTROBE /(24V-nVF)

式中, ILED是所需的LED閃光電流,IBOOST是轉(zhuǎn)換控制器的最大電流,tSTROBE是閃光持續(xù)的時(shí)間,n是電路中串聯(lián)的白色LED個(gè)數(shù),VF是LED的正向壓降。

假如圖3電路中MAX1583的最小輸入電壓為3.2V,所需的LED閃光電流為100mA, MAX1583的轉(zhuǎn)換控制電流設(shè)定為75mA,兩個(gè)串連在一起的LED的正向電壓為4V,希望閃光持續(xù)的時(shí)間為30ms,那么,充電電容CRES則可由下式?jīng)Q定：

CRES=(100mA 75mA) 30mA/[24V-(2 4V)]＝47 F

輸入電容選擇

電路中的陶瓷電容C1主要用于輸入旁路,該電容應(yīng)盡量靠近芯片。值得注意的是：不同芯片所用的輸入旁路電容器的電容值有所不同,MAX1583X所需的旁路電容值為22 F, MAX1583Y所需的旁路電容值為10 F,而MAX1583Z則只需4 F就可以了。

輸出電容選擇

閃光模式時(shí)所需的輸出電容的容量應(yīng)由所需的LED電流及脈沖周期來決定。需注意的是：輸出電容的耐壓必須大于25V。另外,設(shè)計(jì)時(shí)還應(yīng)在整個(gè)串聯(lián)LED的兩端跨接一個(gè)0.1 F/25V的儲能電容器。

電感的選擇

電路中的電感選擇范圍一般為4.7 H~47 H。當(dāng)輸入電壓接近5V時(shí),使用較大的電感會(huì)取得更好的效果。設(shè)計(jì)時(shí),為了保證其中心飽和度,應(yīng)確保電感的額定飽和電流不小于MAX1583的限制電流（250mA,500mA,1A）。

肖特基二極管的選擇

在電路中MAX1583的LX端外接一個(gè)高速整流二極管D1能夠達(dá)到更好的效果。最好采用快恢復(fù)和前向壓降較小的二極管。同時(shí)應(yīng)確保二極管的平均電流和峰值電流分別高于MAX1583的平均輸出電流和限制電流（250mA,500mA,1A）。另外,二極管的反向擊穿電壓也必須高于電路的輸出電壓VOUT。