| ST與海力士合資存儲(chǔ)器芯片廠舉行奠基儀式 | <!-- 摘 要:將鐵電薄膜與CMOS工藝相集成是實(shí)現(xiàn)鐵電存儲(chǔ)器制備的關(guān)鍵所在,采用PZT材料的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器的工作原理、工藝流程,以及鋁連線在還原性氫氣氛中退火對(duì)于鐵電電容特性的影響在本文中被探討,還原性氣體隔離層的幾種適用材料的特性,以及隔離層制備的工藝集成這一關(guān)鍵問題被著重研究。 關(guān)鍵詞:鐵電存儲(chǔ)器;氫隔離層;不揮發(fā)存儲(chǔ)器;氮氧化硅 | --> ---意法半導(dǎo)體(ST)與海力士半導(dǎo)體宣布簽訂合資建廠協(xié)議后,日前,這兩家世界大型半導(dǎo)體公司在中國江蘇省無錫市舉行了存儲(chǔ)器芯片前端制造廠的奠基典禮,來自中韓兩國的國家及省市地區(qū)的高級(jí)官員參加了典禮儀式。 ---新的芯片制造廠將制造DRAM存儲(chǔ)器和NAND閃存芯片,它將使合資雙方率先進(jìn)入快速增長的中國市場(chǎng),新的芯片制造廠能夠讓ST使用低成本、高性能的DRAM,從而進(jìn)一步提高在MCP(多片封裝)堆疊式存儲(chǔ)器和SiP(系統(tǒng)級(jí)封裝)解決方案上的全球領(lǐng)先水平。新的合資公司預(yù)計(jì)將是海力士半導(dǎo)體維持其長久競(jìng)爭(zhēng)力的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),因?yàn)樾鹿緦⒗米钌俚馁Y本確保12英寸制造設(shè)施的量產(chǎn),采用一個(gè)具有成本效益的制造環(huán)境,以維持其在快速增長的中國市場(chǎng)的領(lǐng)先水平,新制造廠還將是海力士半導(dǎo)體解決貿(mào)易問題(包括該公司產(chǎn)品在歐美市場(chǎng)被征收的反傾銷稅)的又一個(gè)全球制造設(shè)施。 ---今年年底以前,預(yù)計(jì)一條8英寸生產(chǎn)線開始生產(chǎn),在生產(chǎn)初期,先將制造工藝從目前海力士半導(dǎo)體位于韓國的制造廠穩(wěn)定地轉(zhuǎn)移到新廠。不久之后,一條12英寸的芯片生產(chǎn)線將會(huì)在2006年年底開始生產(chǎn)。 ---這個(gè)項(xiàng)目計(jì)劃總投資20億美元,合資雙方以股本形式進(jìn)行融資(海力士半導(dǎo)體67%,意法半導(dǎo)體 33%),意法半導(dǎo)體還將提供2.5億美元長期借貸,此外,中國當(dāng)?shù)氐慕鹑跈C(jī)構(gòu)還將提供債務(wù)和長期租賃形式的融資組合方案。2005年,意法半導(dǎo)體和海力士半導(dǎo)體的股本投資預(yù)計(jì)達(dá)到大約3.75億美元,投資比例為1/3 對(duì) 2/3。 ---意法半導(dǎo)體總裁兼首席執(zhí)行官Carlo Bozotti評(píng)價(jià)這家新合資廠時(shí)說:“這個(gè)合資企業(yè)的建立將進(jìn)一步加強(qiáng)意法半導(dǎo)體在中國這個(gè)全球增長最快的半導(dǎo)體市場(chǎng)中的綜合實(shí)力,在優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)的制造工藝和產(chǎn)品開發(fā)上,意法半導(dǎo)體與海力士半導(dǎo)體達(dá)成了卓有成效的合作,因此,我們?cè)跓o錫建立了這個(gè)新的合資企業(yè)。ST已經(jīng)是中國第二大半導(dǎo)體供應(yīng)商,新的制造廠將會(huì)提高ST在中國以至于全球的競(jìng)爭(zhēng)力。” | |