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一個需要長時間可靠工作的控制系統（發(fā)電機系統），如何設計復位電路？

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單片機復位可分為內部與外部事件復位。外部事件復位包括上電復位、RES復位和低電壓復位。

    上電復位和RES復位是人為的正常復位，以保證程序計數器被清零且程序從頭開始執(zhí)行。要正常進行這兩種復位動作，需要外接正確的RES復位電路，一般來說不同的單片機的復位電路稍有不同，單片機廠商都會提供標準的復位電路資料。以HOLTEK IC為例，我們提供的復位電路是RES腳接100K歐姆的電阻至VDD；RES腳再接10K電阻和0。1uF的電容至VSS。

    當電源電壓受外部干擾，低于正常工作電壓時，會造成程序功能運行不正常，嚴重的還可能造成單片機死機。此時發(fā)電機系統就會造成嚴重的后果，我們就需要用低電壓復位來解決這個問題。通常我們可以用兩個方法實現低電壓復位：1、外加一個電壓檢測芯片（例如7033）加到RES腳上，當電源電壓低于某個臨界值時，電壓檢測芯片會給出一個低電平到RES腳是單片機復位，防止單片機死機。2、有些廠家的單片機內部會有一個低電壓檢測LVR的功能，例如HOLTEK單片機。當電源電壓低于某一個臨界值時，單片機會自動復位避免死機，外部不需要再連接任何檢測電壓的電路。

   除了外部電源不穩(wěn)定會造成單片機復位，內部WDT溢出也會造成復位，即內部事件復位。對于需要長時間穩(wěn)定工作的系統來說，看門狗是十分必要的，它可以避免程序跑飛造成的錯誤。

    當復位發(fā)生時，要保證復位后能與復位前的各個狀態(tài)無縫的連接起來，就需要用軟件來判定復位前程序執(zhí)行到哪個程序段。以HOLTEK MCU為例，除了上電復位之外，通用寄存器復位前后的值不會發(fā)生變化。那么就可以設定一些寄存器記錄程序當前運行在哪一個程序功能段。一旦發(fā)生復位，只需要讀出那些寄存器的值就可以跳轉到復位之前運行的程序功能段運行。另外HOLTE MCU內部有兩個特殊標志位PD和TO，可以根據此兩位的值來判定具體是什么原因造成的復位。

86.  從芯片封裝及設計過程中增強芯片自身干擾能力的角度分析，有哪些好的抗干擾措施？封裝過程中是否可以加屏蔽的技術，layout時可否采取措施？設計方面需要注意哪些問題？

    答：一般在IC內部的抗干擾的處理方法，各家有各家的看家本領，例如在靜電放電防護電路(ESD protection circuits)是積體電路上專門用來做靜電放電防護之用，此靜電放電防護電路提供了ESD電流路逕，以免ESD放電時電流流入IC內部電路而造成損傷。因ESD來自外界，所以ESD防護電路都是做在PAD的旁邊。在輸出PAD，其輸出級中大尺寸的PMOS及NMOS元件本身便可當做ESD防護元件來用，但是其布局(layout)方式必須遵守Design Rules中有關ESD布局方面的規(guī)定。又例如傳統的積體電路設計中，在電源、地的引出上通常將其安排在對稱的兩邊。如左下角是地，右下角是電源。這使得電源雜訊穿過整個矽片。改進的技術將電源、地安排在兩個相鄰的引腳上，這樣一方面降低了穿過整個矽片的電流，一方面使外部去耦電容在PCB設計上更容易安排，以降低系統雜訊。另一個在積體電路設計上降低雜訊的例子是驅動電路的設計。一些單片機提供若干個大電流的輸出引腳，從幾十毫安培到數百毫安培。

這些大功率的驅動電路集成到單片機內部無疑增加了噪音源。而跳變沿的軟化技術可消除這方面的影響，辦法是將一個大功率管做成若干個小管子的并聯，再？每個管子輸出端串上不同等效阻值的電阻，以降低di/dt。

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