l         輸入的驅(qū)動(dòng)級

<!--mstheme-->外部存儲(chǔ)器；<!--mstheme-->

DSK提供了64K x 16-bit的SRAM，和256K x 16-bit的FLASH，以及擴(kuò)展存儲(chǔ)器接口。外部的SRAM和FLASH都采用3.3V的電壓。擴(kuò)展存儲(chǔ)器接口可以用3.3V或5V的電壓。

總共可用的數(shù)據(jù)空間依賴于對DROM位的設(shè)置。如果DROM=0,則從4000H到FFFFH(48K WORDS)的空間，是屬于外存(FLASH或SRAM);如果DROM=1,則外存只有4000H到EFFFH可用。

訪問實(shí)驗(yàn)板上外存，還是子板（用于擴(kuò)展DSK功能的另一塊實(shí)驗(yàn)板）上的存儲(chǔ)器依賴于DMSEL控制寄存器或DMSEL，DIP開關(guān)的設(shè)置，如果DMSEL=0,則使用板上存儲(chǔ)器，如果DMSEL=1,則使用板上8000H開始的存儲(chǔ)器。

總共可用的外部程序空間依賴于對OVLY位和MP/MC# DIP開關(guān)的設(shè)置。如果OVLY=0,MP/MC#=0,則從0000H到EFFFH(60K WORDS)的空間被映射到外存(FLASH或SRAM決定于FLASHENB寄存器的狀態(tài))，在打開電源時(shí),FLASHENB位被設(shè)置成允許從FLASH來引導(dǎo)，如果MP/MC#=0,則F000H到FFFFH的地址范圍被保留給片內(nèi)ROM和中斷向量，并且外部程序存儲(chǔ)器不能使用第0頁,但仍可以用其他頁,這取決于OVLY位。

如果MP/MC#=1,OVLY=0,從0000H到FFFFH地址范圍留給外存(FLASHENB=1時(shí),用FLASH，F(xiàn)LASHENB=0時(shí),用SRAM)。因?yàn)镾RAM,FLASH共享同一個(gè)等待狀態(tài)發(fā)生器,所以5402內(nèi)部的等待狀態(tài)發(fā)生器必須在訪問SRAM產(chǎn)生一個(gè)等待狀態(tài),而在訪問FLASH時(shí)產(chǎn)生七個(gè)等待狀態(tài)，如果MP/MC=1,OVLY=1,只有4000H到FFFFH的地址映射到外存。