EM78內(nèi)置8位定時/計數(shù)器TCC和看門狗定時器、如下圖2.5所示：

 

圖2.5  TCC和WDT功能框圖

 

TCC的時鐘可以是內(nèi)部指令周期時鐘CLK(Fosc/2或Fosc/4)或通過TCC腳輸入的外部脈沖，其計數(shù)采用遞增方式，從O0開始計，當(dāng)不使用預(yù)分頻器時，每隔一個指令周期或者有一個外部脈沖時TCC會加1（TCC響應(yīng)延時時間為2個機器周期），當(dāng)TCC計數(shù)至FFH（16進制）時，在下一個計數(shù)發(fā)生時，將自動清零，并置TCC計數(shù)器溢出中斷位TCIF如此往復(fù)。當(dāng)TCC使用預(yù)分頻器時，則外部或內(nèi)部信號經(jīng)過預(yù)分頻器分頻后再輸出給TCC。

Tcc 輸入波形圖(CLKS=”0”)(見圖2.7)

圖2.6  TCC輸入信號波形圖

 

TCC和預(yù)分頻器的控制主要由控制寄存器CONT（Bit0～5）來完成,預(yù)分頻器的分頻系數(shù)由PSR0～PSR2決定;預(yù)分頻器是分配給TCC或WDT使用可由PAB位來決定,同一時間預(yù)分頻器只能給TCC或WDT其中之一使用。

注意二點;

(1)預(yù)分頻器分配給TCC使用時(PAB=0),所有寫入TCC的指令都將清除預(yù)分頻器

(2)當(dāng)預(yù)分頻器分配給WDT使用時(PAB=1),WDT和預(yù)分頻器可被WDTC和SLEP指令清零。

看門狗定時器WDT是一片內(nèi)自振蕩式RC振蕩器，即使外部振蕩器被關(guān)閉（即工作在休眠模式），WDT也一直在計數(shù)。當(dāng)WDT被使能，無論是在工作模式或休眠模式，若WDT超時，都將導(dǎo)致單片機復(fù)位,因此WDT主要用來防止單片機系統(tǒng)失控，一般WDT基本溢出周期約18ms（PAB=“0”），最大溢出周期約2.3S（PAB=“1”）。在正常情況下，當(dāng)WDT溢出之前，須通過WDTC指令來對WDT清零以防產(chǎn)生復(fù)位。WDT的工作狀態(tài)由寄存器CONT中的PAB、PSR2～PSRO位，IOCE的WDTE位（IOCE.7）、OTP型EM78X56的結(jié)構(gòu)選擇寄存器ENWDTB位來控制（燒寫芯片時設(shè)定）。

EM78把I/O(口5、口6)作為一般工作寄存器R5、R6來操作，它們?yōu)殡p向、三態(tài)輸入/輸出口，可通過控制寄存器來設(shè)置以下功能,如表2.6所示:

表2.6、I/O控制功能分類表

 

I/O口Port5、Port6的接口電路圖如下所示：

圖2.7  I/O口電路和I/O控制寄存器

 

其中圖中：PCRD——口控制讀      PDRD——口數(shù)據(jù)讀

               PCWR——口控制寫      PDWR——口數(shù)據(jù)寫

               MUX ----多路選通器

R-option功能圖2.8

 

圖2.8  P60(INT）的I/O和控制寄存器

 

圖2.9  P61～P67   I/O控制寄存器和I/O口電路

 

 

圖2.10  帶R-Option  功能的I/O口（P70、P71）電路

    當(dāng)使用R-option功能時，往往地P0～51定義為輸出腳使用，這樣在讀取R-option功能時

先把P50、P51設(shè)為輸入并使能R-option功能，讀取后，再關(guān)閉R-option功能，并把P50、P51設(shè)回輸出，并不影響P50、P51的I/O使用。若外部電阻連接到P50（P51）作為R-option功能，將消耗一些電流，請?zhí)貏e注意。

EM78X56的復(fù)位由以下情況產(chǎn)生：

    ·電源上電復(fù)位或電壓檢測器復(fù)位(若有電壓檢測器)

    ·RESET腳輸入低電平��

    ·WDT溢出(當(dāng)WDT使用時)��

當(dāng)單片機檢測到復(fù)位信號后會持續(xù)18ms的復(fù)位狀態(tài)。一旦復(fù)位產(chǎn)生，芯片將處于下列狀態(tài)：

·振蕩器繼續(xù)動作或起動��

    ·程序計數(shù)器PC(R2)被清零，轉(zhuǎn)向復(fù)位地址000H��

    ·所有I/O口腳均被設(shè)置為輸入模式(高阻態(tài))��

    ·看門狗定時器和預(yù)置分頻器被清零��

    ·當(dāng)上電時，狀態(tài)寄存器的高三位被清零(RAM選BANKO)��

    ·除Bit6(INT中斷使能標(biāo)志位)外，CONT寄存器全設(shè)為“1”��

    ·下拉控制寄存器IOCB全設(shè)為“1”(下拉功能禁止)��

    ·集電極開路控寄存器IOCC全設(shè)為“0”(開路功能禁止)��

    ·上拉控制寄存器IOCD全設(shè)為“1”(上拉功能禁止)��

    ·WDT控制寄存器IOCE  Bit7設(shè)為“1”，Bit1和Bit4設(shè)為“0”，即開WDT，置P60為I/O口，取消R-option功能��

    ·中斷標(biāo)志寄存器RF中的標(biāo)志位全部清零(Bit0～2)��

    ·中斷屏幕寄存器IOCF的中斷屏幕位清零(Bit0～2)��

    寄存器初始化值匯總表如下：

    X:未使用      U:未知      P:復(fù)位之前值     t:參見表2.4、2.5

表2.7  寄存器初始化值表

    1.內(nèi)部上電復(fù)位電路��

EM78X56系列內(nèi)置一上電復(fù)位電路POR(POWUER RESET)如圖2.11所示，上電后自動產(chǎn)生復(fù)位。

圖2.11  復(fù)位控制方框圖

所以一般情況下可不用在RESET端接復(fù)位電路，僅將Reset端接VDD即可

2.電壓檢測器

對EM78X56系列MASK版和EM78P156A型均內(nèi)置-2.2V電壓檢測器，分別為可選用式和固定式兩種，即對MASK版，可通過CODE OPTION的位/POVD來選擇使能或關(guān)閉，而OTP型EM78P156A型,則不能通過CODE OPTION來選擇,電壓檢測器功能已固化在內(nèi)(電壓檢測器有15μA電流消耗)，EM78P156B型則沒有電壓檢測器功能。

 

    電壓檢測器電氣特性如下表(TA=25℃)

    *當(dāng)VDD=0.7V～Vdet之間時，電壓檢測器輸出為低。

通常有下列幾種情況需要加外部復(fù)位中路。

1. 當(dāng)電源上升時間比較長時，通過RC電路來保證VDD達到最小工作電壓時RESET腳保持復(fù)位狀態(tài)

                                                                                                    

圖2.12 外電源上電復(fù)位電位

 

    其中器件功能及值選擇原則：

    ①R<40K(由于RESET吸入電流約50μA，為保證RESET端電壓不大于0.2V)��

    ②二極管D將使電容C在VDD掉電時能快速徹底放電

    ③R1取100～1K，為限流電阻，用來限制大的放電電流或靜電ESD對RESET的沖擊��

    2．殘存電壓保護電路(二種)

   有些應(yīng)用中，例如供電電池在幾秒鐘內(nèi)松動后又恢復(fù)，此時將可能會在復(fù)位腳出現(xiàn)一個小于Vdd最小值又不為0的殘存電壓，因而便復(fù)位不正常，以下兩種電路將解決此問題，

  

                

當(dāng)VDD掉至V_Z+0.7V時單片機復(fù)位（VZ為穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值）

                                                                  圖2.13殘余電壓保護電路1

   當(dāng)VDD掉至下述值時三級管Q₁ 截止、單片機復(fù)位

VDD·    =0.7V

 

              ,                                                   （R3為限流電阻，可選100K）

 

圖2.1４殘余電壓保護電路2

 

單片機復(fù)位時序圖如圖2.15所示：

圖2.15 單片機復(fù)位時序圖

 

圖2.1４殘余電壓保護電路2

 

單片機復(fù)位時序圖如圖2.15所示：

圖2.15 單片機復(fù)位時序圖