中芯國際集成電路制造有限公司宣布已經(jīng)成功開發(fā)基于0.35微米可擦寫存儲器的非接觸性智能卡技術(shù)。這項技術(shù)的特色是可有效縮小非接觸性智能卡的芯片面積最多達百分之五十。
　　歸功于最近開發(fā)出的高壓P溝道MOS場效應(yīng)晶體管和金屬-絕緣體-金屬電容 (MIM capacitors),使這個新制程技術(shù)可以使智能卡芯片面積更小,功能更強大。該新技術(shù)的應(yīng)用廣泛,包括可接觸和非接觸的智能卡,如交通卡,身分證,銀行卡等。
　　中芯的客戶中已經(jīng)有數(shù)家成功的運用這一非接觸性智能卡技術(shù)生產(chǎn)出合格產(chǎn)品。
　　“從市場規(guī)模及可預(yù)期的各種應(yīng)用來看,尤其是對于中國市場,這是一個具有重大意義的關(guān)鍵技術(shù)。”中芯國際存儲器技術(shù)發(fā)展中心副總裁李若加先生說, “目前我們正致力于開發(fā)0.18微米可擦寫存儲器技術(shù),以協(xié)助客戶不斷提升競爭力�！�
　　中芯國際存儲器技術(shù)發(fā)展中心負責(zé)開發(fā)各種動態(tài)隨機存儲器,快閃存儲器,嵌入式快閃存儲器,先進的可擦寫存儲器智能卡,液晶顯示器高壓驅(qū)動芯片,LCOS顯示器芯片,以及CMOS圖像傳感器等。