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碳納米管提升了功率半導(dǎo)體器件的性能
碳納米管提升了功率半導(dǎo)體器件的性能
 更新時間:2008-8-18 9:34:38  點擊數(shù):7
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---Infineon Technologies AG公司(位于德國慕尼黑)的研究人員已制作成功首款采用碳納米管的功率半導(dǎo)體器件,在此之前人們一直認(rèn)為這種器件不適合于功率應(yīng)用中所使用的高電壓和高電流。采用常規(guī)化學(xué)汽相淀積工藝生產(chǎn)的這種納米管過去曾被用來試制功率晶體管。


---被用作LED或電機(jī)控制開關(guān)的這種試制器件由大約300個并行排列的納米管組成,它能夠在2.5V電壓條件下提供2mA的電流。雖然人們已經(jīng)在研究實驗室里采用納米管來制作電腦芯片用的晶體管,但這種場合中的電壓則低了大約1000倍。研究小組的實驗結(jié)果表明:采用碳納米管制作的功率晶體管的開關(guān)電阻典型值比傳統(tǒng)的晶體管低大約20倍,從而降低了功耗。
---研究人員還證實基于碳的晶體管能夠承受比硅器件高200倍左右的電流密度。此外,該試制品還具有制造工藝簡單,開關(guān)速度快及散熱低的特點。
---該試制品目前尚處研究階段,何時開始規(guī)模生產(chǎn)還不明朗。如欲了解更多的信息,請致電Infineon Technologies公司的Christoph Liedtke,電子郵件christoph.liedtke@infineon.com。


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