STMicroelectronics公司（位于瑞士日內瓦）開發(fā)的一種創(chuàng)新芯片制造工藝有望從實質上消除目前電子系統(tǒng)中的軟故障。這種名為rSRAM的工藝在實現(xiàn)這一目標時不會造成系統(tǒng)成本的顯著增加以及性能的惡化。

   軟故障產生自存在于地球的低強度本底輻射之中的核粒子。這些粒子本身雖然沒有危害性,但卻有可能會造成芯片運行的中斷,從而導致依靠這些芯片工作的設備出現(xiàn)故障。
   RSRAM技術沒有采用增加芯片硅面積的做法（這樣會使得一塊晶圓片所能加工出的芯片數量的減少,從而導致生產成本的上升）,而是將電容集成到垂直方向的SRAM單元結構中以對標準SRAM單元進行調整,這樣芯片面積就不會受影響。這些電容允許電荷總量增加至足以觸發(fā)一個存儲器單元,從而減少了任何給定時間間隔內的軟故障數量。
   對采用120nm工藝制作、并使用這種新型rSRAM單元的測試芯片進行了大劑量人工輻射轟擊的超常規(guī)測試,并測得最終的軟故障率。與傳統(tǒng)的SRAM單元相比,這種rSRAM單元對軟故障的抵御能力提高了250倍。
   如欲了解更多信息,請與STMicroelectronics公司的Michael Markowitz聯(lián)系,電話是0041-212-821-8959,電子信箱是：michael.markowitz@st.com,亦可訪問下列網址http://www.st.com。