此次年會(huì)上一篇有關(guān)電子皮膚的論文有些不同凡響,這種電子皮膚能夠讓機(jī)器人的手臂產(chǎn)生觸覺。日本東京大學(xué)的研究人員通過在一張柔性塑料片上制作一個(gè)大面積壓力傳感器矩陣的方法（即把高質(zhì)量的有機(jī)晶體管和橡膠壓力傳感器集成在一起）完成了這一令人矚目的創(chuàng)舉。
  讓許多參會(huì)公司和研究人員感到興奮的另一個(gè)主題是應(yīng)變硅,這是一種適合于采用CMOS工藝來制作更加可靠晶體管的材料。來自Taiwan Semiconductor公司（位于中國(guó)臺(tái)灣新竹）的一個(gè)研究小組介紹了采用在一個(gè)專門為使其晶格能夠正好適合硅應(yīng)變的SiGe緩沖層上生長(zhǎng)硅的方法來制造柵極寬度為60nm的晶體管的工藝。
  來自Taiwan Semiconductor公司的另一個(gè)研究小組還論述了采用應(yīng)變工藝來改進(jìn)包含多個(gè)先進(jìn)元件的65nm絕緣體上硅（SOI）工藝的方法。IBM公司（位于美國(guó)紐約Hopewell Junction）撰寫的一篇論文探討了采用極富創(chuàng)新精神的尺寸壓縮和應(yīng)變工藝來制作選通脈沖寬度為45nm的高性能邏輯器件的相關(guān)工藝。
  在存儲(chǔ)器領(lǐng)域,來自Infineon公司（位于德國(guó)Erlangen）的一個(gè)研究小組采用夾在一個(gè)簡(jiǎn)單交叉點(diǎn)陣列的兩組電極之間的有機(jī)層制成了一種存儲(chǔ)器芯片。當(dāng)電流加到電極上時(shí),有機(jī)層的狀態(tài)將發(fā)生改變。
  東京技術(shù)研究院（位于日本東京）的一位研究人員就把鐵電材料用作CMOS晶體管的柵極電介質(zhì)的可能性做了專題報(bào)告。這種器件在具有暫存器的閉鎖電路中是有用武之地的。
  康奈爾大學(xué)（位于美國(guó)紐約州Ithaca）的另一位研究人員論述了近來在開發(fā)基于少數(shù)電子的運(yùn)動(dòng)的存儲(chǔ)器方面所取得的進(jìn)展,對(duì)相關(guān)的基礎(chǔ)物理學(xué)以及技術(shù)上的權(quán)衡折衷進(jìn)行了研究。
  三星半導(dǎo)體公司（位于韓國(guó)Kyoungki-do）對(duì)迄今為止最小的40GB NAND型快閃存儲(chǔ)單元的制作工藝做介紹,該工藝采用了70nm設(shè)計(jì)規(guī)則。
  此次會(huì)議的其他重點(diǎn)論文對(duì)目前人們頗感興趣的、采用廉價(jià)有機(jī)材料來制作晶體管和電路加以探討。加利福尼亞大學(xué)（位于美國(guó)加利福尼亞州伯克利）的研究人員說明了直接采用纖維來制作并五苯晶體管的方法。這種晶體管的制作并非采用傳統(tǒng)石版印刷術(shù),而是通過過編織纖維（overwoven fibers）的掩膜來形成圖案（見圖6）。據(jù)稱該工藝與紡織品的制造工藝是兼容的。
  在其他的開發(fā)項(xiàng)目中,來自Infineon Technologies的一個(gè)研究小組介紹一種具有超薄自合成分子單層?xùn)艠O電介質(zhì)和并五苯通道的薄膜晶體管。最終制成的器件將采用2V的工作電壓。來自漢城國(guó)立大學(xué)（位于韓國(guó)漢城）的另一個(gè)研究小組介紹他們是如何在可接受的150℃加工溫度下采用激發(fā)態(tài)激光退火和特殊介電常數(shù)耦合等離子體氣相沉積工藝來在塑料上制作硅TFT的。
  東芝公司（位于日本Kanagawa）介紹他們?cè)诔�薄型單柵極和雙柵極SOI晶體管的載荷子遷移機(jī)理方面的研究成果。該公司制作的器件具有0.7nm的通道寬度,這相當(dāng)于三個(gè)硅原子的寬度。
  有些論文對(duì)于電子學(xué)尖端領(lǐng)域的問題進(jìn)行討論。例如：哈佛大學(xué)（位于美國(guó)馬薩諸塞州Cambridge）的一位教授論述用于單晶納米導(dǎo)線生長(zhǎng)的通用框架以及它們的電遷移特性和異質(zhì)結(jié)構(gòu)。Charles Lieber博士介紹一些借助納米技術(shù)而得以實(shí)現(xiàn)的應(yīng)用,如超靈敏化學(xué)傳感器和生物傳感器,以及化合物半導(dǎo)體納米導(dǎo)線和納米導(dǎo)線異質(zhì)結(jié)構(gòu)的基本光學(xué)特性和光電特性。
  加利福尼亞大學(xué)的另一位研究人員闡述了近期在對(duì)各種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的電子和核子旋轉(zhuǎn)進(jìn)行電子控制、光子控制和磁控制方面所做的研究實(shí)驗(yàn),其論文重點(diǎn)論述了有關(guān)固體狀態(tài)下量子信息處理方面的基礎(chǔ)物理學(xué)知識(shí)。
  有關(guān)會(huì)議的其他信息,請(qǐng)?jiān)L問http: //www.ieee.org/conference/iedm。