| 功率半導(dǎo)體領(lǐng)袖國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出200V額定IRF7492及150V額定IRF7494 HEXFET N溝道功率MOSFET,成功地把器件通態(tài)電阻減低高達(dá)56%。與市場上同類器件中相應(yīng)通態(tài)電阻的電荷值相比,新器件的柵漏 (Gate-to-drain,即Miller) 電荷減低達(dá)50%。 若在典型的150W正激轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中,以IR新一代SO-8 IRF7492或IRF7494取代業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件,效率可提升0.5%,這將導(dǎo)致器件結(jié)溫降低15°C至20°C。 新MOSFET是專為正激或推挽式功率轉(zhuǎn)換器拓樸中的原邊開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì),適用于電信及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中的板上型功率模塊。 IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示：“MOSFET的主要參數(shù)包括器件通態(tài)電阻和柵電荷。這些參數(shù)對(duì)電路整體性能具有一階效應(yīng)。全新IRF7492和IRF7494器件以IR最新溝槽技術(shù)制成,有助減低傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,提升整體效率。” IRF7492及IRF7494具有低通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和柵電荷,最適用于高達(dá)500kHz的直流-直流轉(zhuǎn)換器開關(guān)應(yīng)用系統(tǒng),柵電壓最高達(dá)20V。新MOSFET還具有低柵阻抗,能將開關(guān)損耗降至前所未有的水平。
全新IRF7492及IRF7494 HEXFET MOSFET已有供應(yīng)。數(shù)據(jù)冊詳載于IR網(wǎng)頁www.irf.com,基本規(guī)格如下： 產(chǎn)品型號(hào)封裝VDSSVGS=10V下RDS(on)最大值典型Qg值 典型Qgd值
IRF7494SO-8150V44mOhm36nC13nC
IRF7492SO-8200V75mOhm38nC16nC |
66821730(技術(shù)支持)
