意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM）日前在該公司先進(jìn)的絕緣柵雙極晶體管家族中推出了一個(gè) 在強(qiáng)電流時(shí)能夠保持正向壓降很低的200A的器件,這類器件屬于ST的絕緣柵雙極晶體管家族,能夠確保低導(dǎo)通電壓損耗而無(wú)需使用任何降低少數(shù)載流子壽命的重金屬摻雜或電子輻射。這些器件用于鋁焊接和感應(yīng)加熱設(shè)備,以及不間斷電源和開關(guān)式電源中。
STGE200NB60S屬于ST的PowerMESH 絕緣柵雙極晶體管家族,采用一種條狀專利布局�！� 網(wǎng)格覆蓋”技術(shù)是一種基于條狀物的新型高壓工藝,在絕緣柵雙極晶體管的N外延層擴(kuò)散P型網(wǎng)格結(jié)構(gòu),然后,在P型網(wǎng)格層上直接擴(kuò)散代替單元并代表器件發(fā)射極的N+條狀物。 S 后綴表示N溝道已經(jīng)在工作頻率最高10kHz時(shí)針對(duì)低導(dǎo)通壓降做過優(yōu)化處理。
在工作溫度100°C,電壓600V,電流100A時(shí),VCE(sat)不到1V。在工作溫度25°C,電流200A時(shí),VCE(sat)在1.3V以下。
這個(gè)器件的設(shè)計(jì)效率表明導(dǎo)通功耗降低了。這個(gè)器件采用了有利于安全的絕緣ISOTOP封裝。
有關(guān)ST的STGE200NB60S器件的詳細(xì)資訊,請(qǐng)?jiān)L問：http://www.st.com/igbt
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