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TaN微波薄膜技術改善電阻元件
TaN微波薄膜技術改善電阻元件
作者:佚名  來源:不詳  錄入:Admin  更新時間：2008-8-17 20:17:09  點擊數(shù)：5
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TaNFilm薄膜技術采用自鈍化氮化鉭,能制造在高溫下具有長期穩(wěn)定性和準確性的電阻元件。美國TT電子公司IRC先進薄膜分公司開發(fā)的這項技術可以制造在電信、航天和聯(lián)網(wǎng)等微波應用中性能遠遠高于其他鈍化膜技術的薄膜電路和混合襯底。

圖7 TaNFilm薄膜技術制造適于微波頻率的電阻元件

  防潮的氮化鉭解決了標準鎳鉻鐵合金技術存在的腐蝕問題。該技術能制造表面電阻在5～100Ω/sq之間的電阻元件。
電阻熱系數(shù)在±10×10-6/℃,這種材料在70℃下的導熱率為34.7Ω/m°K。該公司采用先進的光刻和等離子蝕刻工藝,能制作有鍍層的孔、邊緣終端和19μm的導體軌跡與間隙。
薄膜提供±0.015%的電阻容許偏差和±0.005%的比率容許偏差。薄膜襯底厚度有15、20和25mil等幾種,電介質(zhì)強度200V/μm。
更多信息請瀏覽http://www.irctt.com。


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