| 美國Tezzaron半導(dǎo)體公司近日發(fā)布了一種偽靜態(tài)存儲器原型,據(jù)報道,這種器件能實(shí)現(xiàn)1.3ns延遲時間,和每個針腳2Gb/s吞吐率。這種存儲器增強(qiáng)的速度密度被認(rèn)為是開發(fā)下一代測試設(shè)備和高速成像設(shè)備以及振興L2和L3高速緩存的關(guān)鍵。  | | 圖4 基于電流變化 而不是電壓變化的新型存儲器技術(shù)能實(shí)現(xiàn)2Gb/s吞吐率 | 這種叫PSiRAM的器件采用能感知電流變化而不是電壓變化的專利三晶體管單元。它由2Mb×16bit組成32Mb器件,工作電壓1.2V。0.8V下的工作情況也進(jìn)行了測試,在0.8V電壓下,該器件速度超過400MHz,功耗不到0.125W。
因?yàn)镻SiRAM采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS邏輯工藝,Tezzaron計劃出售該技術(shù)許可證,允許該技術(shù)用于SoC應(yīng)用。成批生產(chǎn)預(yù)計明年開始,計劃明年上半年采用130nm工藝,明年晚些時候采用90nm工藝。
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