電磁爐工作時(shí)，雖然輸入信號(hào)是市電的220 V交流電，但是為了保持功率恒定和內(nèi)部穩(wěn)定工作，需要對(duì)各參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)的檢測(cè)和控制，以有效地實(shí)現(xiàn)鍋具超溫保護(hù)、鍋具干燒保護(hù)、鍋具傳感器開／短路保護(hù)、忘記關(guān)機(jī)保護(hù)、IGBT溫度限制、IGBT溫度過高保護(hù)、低溫環(huán)境工作模式、IGBT測(cè)溫傳感器開／短路保護(hù)、高低電壓保護(hù)、浪涌電壓保護(hù)、VCE抑制、VCE過高保護(hù)、過零檢測(cè)、小物檢測(cè)、鍋具材質(zhì)檢測(cè)、定時(shí)等功能。

　　這些參數(shù)中有很多是互相關(guān)聯(lián)、互相影響的，因此，使用單片機(jī)實(shí)現(xiàn)檢測(cè)和控制，無論從成本上，還是從可靠性、實(shí)現(xiàn)方案上，均是較好的選擇。

1 控制參數(shù)及其相互關(guān)系

1.1 電磁爐的工作原理

　　電磁爐是一種利用電磁感應(yīng)原理將電能轉(zhuǎn)換為熱能的廚房電器。它有兩種類型：一種是利用工頻電流進(jìn)行感應(yīng)加熱；另一種是利用15 kHz以上的高頻電流進(jìn)行感應(yīng)加熱。前者稱為"工頻電磁爐"，后者稱為"高頻電磁爐"。工頻電磁爐無需進(jìn)行工頻到高頻的變換電路，電路復(fù)雜性較��；但是，需要特殊的復(fù)合材料(一般為不銹鋼、鐵、不銹鋼、鋁四層復(fù)合)制成的烹飪鍋具才能正常工作。高頻電磁爐需要設(shè)置高頻變換和控制電路，但無需復(fù)合材料制成鍋體。家用電磁爐一般采用高頻模式。

　　高頻電磁爐熱效率高達(dá)83％。在電磁爐內(nèi)部的主諧振部分，由整流電路將50 Hz／60 Hz的交流電壓變成直流電壓，再經(jīng)過控制電路將直流電壓轉(zhuǎn)換成頻率為20～50 kHz的高頻電壓。高速變化的電流流過線圈時(shí)，產(chǎn)生高速交變的磁場(chǎng)；當(dāng)磁場(chǎng)內(nèi)的磁力線通過金屬器皿時(shí)，底部會(huì)產(chǎn)生巨大的渦流，使器皿本身自行高速發(fā)熱，然后再加熱器皿內(nèi)的物質(zhì)。

1.2 電磁爐的檢測(cè)和控制參數(shù)

　　電磁爐工作時(shí)需要檢測(cè)、控制的信號(hào)或參數(shù)有以下14種：工作電壓(輸入、模擬量)，工作電流(輸入、模擬量)，IGBT工作溫度(輸入、模擬量)，輸出到器皿的溫度(輸入、模擬量)，交流電過零(輸入、數(shù)字量)．同步(輸入、數(shù)字量)，風(fēng)扇(輸出、數(shù)字量)，蜂鳴器(輸出、PWM)．IG-BT導(dǎo)通和截止(輸出、PWM)，電源浪涌(輸入／輸出、數(shù)字量)，IGBT之C端的過壓(輸入／輸出、數(shù)字量)，試探信號(hào)(輸出、數(shù)字量)，按鍵監(jiān)測(cè)(輸入／輸出、數(shù)字量)，顯示控制(輸出、數(shù)字量)。

1.3 控制參數(shù)的相互關(guān)系

　　以上參數(shù)除后兩項(xiàng)屬于人機(jī)交互界面外，其他12項(xiàng)參數(shù)均互相關(guān)聯(lián)，關(guān)聯(lián)關(guān)系如圖1所示。

　　在圖1中，參數(shù)I、V、Vp-p、VCE、T1、T2分別為：工作電流設(shè)定值、工作電壓設(shè)定值、浪涌電壓設(shè)定值、IGBT最大擊穿電壓設(shè)定值、IGBT溫度值和加熱線圈溫度值。所有參數(shù)的加入均以使IGBT可靠、正常地工作為中心。IGBT可靠、正常地工作是指：輸出功率恒定，發(fā)熱和鍋底溫度在允許的范圍內(nèi)。

2 綜合控制的實(shí)現(xiàn)

2.1 單片機(jī)SH69P42

　　SH69P42是中穎公司基于SH6610D內(nèi)核的4位RISC指令集的單片機(jī)。它帶有4通道8位SAR A／D轉(zhuǎn)換器，2通道10位PWM輸出，2級(jí)3種中斷(A／D中斷、端口中斷和定時(shí)器中斷)，2個(gè)8位定時(shí)器，16個(gè)I／O引腳；內(nèi)有OTP型ROM(3 072×16位)和RAM(192×4位)；還有低電壓監(jiān)視復(fù)位和內(nèi)置看門狗電路，振蕩器工作頻率為32 768 Hz～8 MHz。SH69P42共有43條指令，每條指令的執(zhí)行時(shí)間均等，為振蕩器周期的4倍。

　　SH69P42適合工業(yè)級(jí)，應(yīng)用于對(duì)系統(tǒng)抗干擾能力要求極高的場(chǎng)合，家電應(yīng)用是它的一個(gè)重要方面。從SH69P42的單片機(jī)資源分析，結(jié)合1.2節(jié)給出的參數(shù)可以看到，該單片機(jī)非常適合于電磁爐的控制。

2.2 綜合控制的策略

2.2.1 輸出功率的控制

　　控制IGBT的信號(hào)是一個(gè)周期固定的PWM脈沖。由文獻(xiàn)[2]可知，電磁爐的輸出瞬時(shí)功率決定于一個(gè)PWM周期中高電平的占空比，此期間導(dǎo)通的IGBT所流過電流的大小決定功率的大小。因此，電磁爐的輸出功率可以間接地使用PWM周期的占空比來實(shí)現(xiàn)。計(jì)算方法可以簡(jiǎn)單地使用線性對(duì)應(yīng)。

　　SH69P42有2個(gè)10位PWM，可以通過簡(jiǎn)單的編程來實(shí)現(xiàn)規(guī)定的占空比輸出。

　　PWM0：對(duì)應(yīng)的周期寄存器為$22、$23、$24三個(gè)單元，分別對(duì)應(yīng)低4位、中4位和高2位；

　　PWM1：對(duì)應(yīng)的周期寄存器為$28、$29、$2A三個(gè)單元，分別對(duì)應(yīng)低4位、中4位和高2位。

　　對(duì)應(yīng)的PWM周期=3個(gè)單元連起來的10位二進(jìn)制數(shù)×PWM時(shí)鐘

　　PWM0：對(duì)應(yīng)的占空比寄存器為$25、$26、$27三個(gè)單元，分別對(duì)應(yīng)低4位、中4位和高2位；

　　PWM1：對(duì)應(yīng)的周期寄存器為$2B、$2C、$2D三個(gè)單元，分別對(duì)應(yīng)低4位、中4位和高2位。

　　對(duì)應(yīng)的PWM占空比=3個(gè)單元連起來的10位二進(jìn)制數(shù)×PWM時(shí)鐘

　　PWM時(shí)鐘可以編程(PWM0為$20，PWM1為$21單元)設(shè)定為振蕩周期的1、2、4、8倍。

　　功率輸出還應(yīng)與鍋底溫度的檢測(cè)相結(jié)合，并且以鍋底溫度為上限條件，即使達(dá)不到設(shè)定功率值，只要鍋底溫度達(dá)到了規(guī)定值也視為功率達(dá)標(biāo)。

2.2.2 IGBT的安全

　　電磁爐中的IGBT工作時(shí)，根據(jù)不同設(shè)定功率，導(dǎo)通電流為8～40 A不等．承受電壓為800 V左右。對(duì)封裝在小空間里的電子器件來說，這個(gè)工作參數(shù)是比較危險(xiǎn)的。一旦出現(xiàn)IGBT的擊穿，將會(huì)危及周圍的元器件。因此，在電磁爐的控制策略里，保護(hù)IGBT正常工作是重中之重。從以下幾個(gè)方面來進(jìn)行IGBT的保護(hù)：

　　①如圖1所示，關(guān)斷IGBT后，在加熱線圈和振蕩電容自由振蕩時(shí)，從正電壓到零點(diǎn)以前不可使IGBT導(dǎo)通，要在濾波電容經(jīng)過IGBT的回復(fù)二極管導(dǎo)通時(shí)打開IGBT控制脈沖，因?yàn)榇藭r(shí)IGBT處于反偏狀態(tài)，正向的電壓尚未加入。此處的控制由同步電路承擔(dān)。

　�、诔霈F(xiàn)電源浪涌時(shí)，應(yīng)立即關(guān)斷IGBT。TGBT的耐壓極限一般為1 200 V，對(duì)轉(zhuǎn)換為直流后的浪涌的檢測(cè)要限制在1 150 V以內(nèi)，所以該段一定要使用金屬膜精密電阻。

　　③電源出現(xiàn)過壓