產(chǎn)品詳情
一、進(jìn)口電子除垢儀工作原理
進(jìn)口電子除垢儀由主機(jī)產(chǎn)生高頻電場(chǎng)對(duì)水進(jìn)行處理，使原有的大締合體狀態(tài)水的結(jié)合鍵被深度打斷，離解成活性很強(qiáng)的單分子或小締合體狀態(tài)的水，從而改變了水的物理結(jié)構(gòu)與特性，增強(qiáng)了水分子的極性，增大了水分子的偶極矩，提高了水分子對(duì)鈣鎂離子、碳酸根離子等成垢組份的水合能力，起到阻止水垢形成的作用。同時(shí)，在變頻電磁場(chǎng)的作用下，使原有的水垢結(jié)晶體逐漸變得松軟、脫落、溶解，從而達(dá)到除垢之目的。
高頻電磁場(chǎng)水應(yīng)用于防垢，是由于存在大量的“離子締合體”或“顆粒締合體”，在水溶液中提供了大量的結(jié)晶核心。結(jié)晶核心越多，生成的結(jié)晶數(shù)量也越多，水垢結(jié)晶的線性尺寸就越小。此外，由于單個(gè)或雙氫聯(lián)結(jié)的水分子數(shù)量增多，水分子的活動(dòng)更“自由”，它占據(jù)水溶液的其它空隙，象形成極薄的膜一樣，因而阻礙晶體生長，促使水垢結(jié)晶線性尺寸減小，使水垢呈松軟的細(xì)小顆粒，隨排污水排除。氧化腐蝕和垢下原電池腐蝕是水系統(tǒng)管道及設(shè)備腐蝕和生銹的主要原因，而在高頻電磁場(chǎng)作用下，水垢得以控制和去除，溶解氧與水分子結(jié)合不易析出，從而抑制氧化腐蝕和垢下原電池腐蝕的發(fā)生，起到良好的防腐阻銹的作用。
另外，高頻電磁場(chǎng)使細(xì)菌、藻類賴以生存的環(huán)境被破壞，并且溶解氧在高頻電磁場(chǎng)的作用下形成一些如03、H202等對(duì)細(xì)菌、藻類具極強(qiáng)殺傷力的物質(zhì)，起到殺菌滅藻的作用。
二、進(jìn)口電子除垢儀特點(diǎn)及創(chuàng)
1、功能齊全：電子水處理器具有明顯的防垢除垢、殺菌滅藻、防銹阻蝕功能，能有效過濾水中污物，一機(jī)多能。
2、經(jīng)濟(jì)實(shí)用：電子水處理器不占地、性能價(jià)格比高，安裝簡便、易于操作；排污時(shí)對(duì)系統(tǒng)運(yùn)行的影響很小，無須停機(jī)排污。
3、質(zhì)量可靠：電子水處理器選用進(jìn)口電子原器件，性能穩(wěn)定；轉(zhuǎn)動(dòng)軸采用機(jī)械密封，克服傳統(tǒng)填料式密封易滲漏的缺點(diǎn)；濾網(wǎng)為不銹鋼筒式加強(qiáng)結(jié)構(gòu)，難以損壞。
4、環(huán)保節(jié)能：電子除垢儀運(yùn)行能耗少、無污染、無噪音、無須專人看管，經(jīng)濟(jì)環(huán)保。
5、精心加工：先進(jìn)的技術(shù)，嚴(yán)格的質(zhì)保體系，嚴(yán)密組織、精心加工，確保電子水處理器具有領(lǐng)先水平的品質(zhì)，使用壽命15年以上。
三、進(jìn)口電子除垢儀應(yīng)用效果
1、溶解度增大：一般經(jīng)處理后，水的溶解度增大1.5-2.0倍。
2、電導(dǎo)率增大：從側(cè)面說明飽和度提高。
3、滲透壓：經(jīng)電磁處理后，增大30-100Pa。
4、含氧量：比自來水提高1-4mg/L。
5、pH值：pH<7.0的酸性水經(jīng)處理后，可上升0.2-1.0。
五、進(jìn)口電子除垢儀適用范圍
1.適應(yīng)水源：適合各類水源，如地表水、地下水（包括深井水）工業(yè)用水、江、河、湖水、溫泉水等。
2.適應(yīng)設(shè)備：各類工業(yè)民用、冷卻水系統(tǒng)、中央空調(diào)冷卻水、冷媒水系統(tǒng)、供暖水系統(tǒng)、洗浴水系統(tǒng)、各種熱交換系統(tǒng)、熱水鍋爐、垢質(zhì)比較復(fù)雜的工礦企業(yè)循環(huán)水系統(tǒng)、系統(tǒng)生活水系統(tǒng)、變壓器冷水系統(tǒng)、熱電廠冷卻水系統(tǒng)、冷油水系統(tǒng)、電加熱鍋爐系統(tǒng)、板式熱交換系統(tǒng)等。
3.適應(yīng)單位：化工廠、化肥廠、熱力發(fā)電廠、軋鋼廠、石油煉油廠、飲料廠、食品廠、制藥廠、制氧廠、紡織廠、玻璃廠、熱處理廠飲料廠、食品廠、食用油廠……
4.適應(yīng)水質(zhì):總硬度≤1200mg／L(CaCO3計(jì))
5.適應(yīng)垢質(zhì)：(1)碳酸鈣CaCO3結(jié)垢（2）硅酸鈣結(jié)垢CaSiO3（3）硫酸鈣CaSO4
6.適用水溫：≤100℃
7.適用水流：0.5T／h—70000 T／h
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