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中國短期內(nèi)難以超越韓國半導體技術

  韓國半導體行業(yè)紛紛開始著手應對中國的半導體追擊,試圖甩開與中國的技術差距。韓國半導體行業(yè)的兩巨頭——三星電子和SK海力士開始量產(chǎn)世界頂級技術的存儲芯片,加快擴大與中國的技術差距。


  據(jù)報道,SK海力士12日表示,公司研發(fā)出了應用第二代10納米級微加工技術的8Gb DDR4 DRAM。


  據(jù)悉,該產(chǎn)品傳送數(shù)據(jù)時可以一次交換的信號量增加到以前的兩倍,將數(shù)據(jù)傳送速度提高到了行業(yè)最高水平。


  三星電子2017年11月開始批量生產(chǎn)技術水平相仿的DRAM,2018年7月已經(jīng)開始量產(chǎn)應用更先進的第二代10納米級微加工技術的16Gb手機用DRAM。


  報道指出,進入歷史最繁榮周期的韓國半導體產(chǎn)業(yè)面臨的最大威脅便是中國的猛烈追擊。


  而隨著10月美國商務部宣布對中國福建晉華集成電路公司進行出口制裁,中國的追擊不得不因為中美貿(mào)易戰(zhàn)暫時停下了腳步。


  這件事給韓國爭取了更多時間用來擴大技術差距。


  韓國業(yè)界普遍認為,目前中國存儲芯片的技術水平比韓國落后3——5年。但中國的半導體追擊依然是引發(fā)需求激增的半導體行業(yè)出現(xiàn)“價格觸頂”爭議的主要原因。


  雖然目前還擁有巨大的技術差距,但韓國半導體行業(yè)一致認為,中國的技術發(fā)展速度對韓國半導體行業(yè)產(chǎn)生了巨大威脅。


  韓國漢陽大學融合電子工程系樸在勤教授表示,“雖然需求群體并不相同,但由于心理因素等的影響,價格下滑將不可避免”。

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