牛津儀器公司原子層沉積技術(shù)(ALD)和2D材料專家與艾恩德霍芬理工大學(xué)合作開發(fā)了用于納米器件的二維過渡金屬硫化物(2D TMDS)原子層沉積(ALD)系統(tǒng)——FlexAL-2D ALD系統(tǒng)。
FlexAL-2D ALD系統(tǒng)可在與CMOS兼容的溫度下生長2D材料，并可在大面積(200mm晶圓)上對厚度進行精確的數(shù)字控制。該系統(tǒng)的其他特征功能包括MoS2的自限制ALD生長、基礎(chǔ)平面或邊緣平面取向的可調(diào)形態(tài)控制，以創(chuàng)建先進的2D器件結(jié)構(gòu)。
據(jù)該公司介紹，F(xiàn)lexAL-2D ALD系統(tǒng)可提供較寬的參數(shù)空間，使2D TMDS的生長溫度比CVD爐中更低。
埃因霍溫理工大學(xué)研究人員在今年七月的ALD會議上，首先介紹了使用ALD在450℃和低溫條件下生長二維MoS2材料的情況。他們展示了如何在CMOS兼容的SiO2/Si襯底上采用等離子體增強型ALD技術(shù)合成二維MoS2膜。這些二維MoS2膜具有可調(diào)形態(tài)(平面和垂直立體納米級結(jié)構(gòu))。雖然3D鰭結(jié)構(gòu)是諸如水分解等催化應(yīng)用的理想結(jié)構(gòu)，但2D平面形態(tài)在納米電子學(xué)中具有潛在的應(yīng)用。
牛津儀器等離子技術(shù)公司的ALD產(chǎn)品經(jīng)理Chris Hodson對這項研究感到高興：“艾恩德霍芬理工大學(xué)Bol博士及等離子體和材料處理(PMP)研究組在正在將ALD研究推向新的應(yīng)用領(lǐng)域。2D材料是一個熱門話題，利用ALD允許其在較低溫度下生長，并且利用ALD沉積和其他加工方法在200毫米尺寸上合成2D材料，提供了新的能力與許多可能性?！?
Ageeth Bol說：“研究人員對相對較低的溫度特別感興趣。對于CVD工藝，通常需要超過800℃，這對于半導(dǎo)體的應(yīng)用來說通常是致命的，因為高溫會增加原子的擴散，這使得它們更難以到達正確的位置。我們希望有一個在較低溫度下生產(chǎn)高品質(zhì)材料的工藝。這對于我正在處理的二維異質(zhì)層是特別重要的，因為在更低的溫度下，層之間的原子擴散將減少?！?
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