“片上納米幾何量與電學(xué)量計(jì)量技術(shù)研究及應(yīng)用”實(shí)施方案通過(guò)論證

3月24日，由中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院(以下簡(jiǎn)稱“中國(guó)計(jì)量院”)牽頭承擔(dān)的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“國(guó)家質(zhì)量基礎(chǔ)設(shè)施體系”重點(diǎn)專項(xiàng)(以下簡(jiǎn)稱“nqi專項(xiàng)”)“片上納米幾何量與電學(xué)量計(jì)量技術(shù)研究及應(yīng)用”實(shí)施方案論證會(huì)在中國(guó)計(jì)量院和平里院區(qū)召開。

中國(guó)21世紀(jì)議程管理中心、市場(chǎng)監(jiān)管總局科財(cái)司相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)，中國(guó)計(jì)量院副院長(zhǎng)戴新華及相關(guān)部門負(fù)責(zé)人，項(xiàng)目和課題負(fù)責(zé)人、各承擔(dān)單位代表共40余人參會(huì)。哈爾濱工業(yè)大學(xué)儀器科學(xué)與工程學(xué)院院長(zhǎng)劉儉、中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員周維虎、清華大學(xué)精密儀器系教授曾理江、北京大學(xué)集成電路學(xué)院教授張大成等10位項(xiàng)目咨詢專家參會(huì)指導(dǎo)。會(huì)議以線上線下結(jié)合的方式進(jìn)行。

會(huì)上，中國(guó)計(jì)量院副院長(zhǎng)戴新華對(duì)參會(huì)的領(lǐng)導(dǎo)和專家表示歡迎，從重視項(xiàng)目的執(zhí)行、加強(qiáng)項(xiàng)目成果與產(chǎn)業(yè)實(shí)際需求結(jié)合等方面對(duì)項(xiàng)目提出要求。中國(guó)21世紀(jì)議程管理中心和市場(chǎng)監(jiān)管總局科財(cái)司相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)對(duì)項(xiàng)目實(shí)施管理提出要求。項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、中國(guó)計(jì)量院副研究員楊雁匯報(bào)了項(xiàng)目的總體情況、技術(shù)路線及預(yù)期成果等。來(lái)自中國(guó)計(jì)量院、同濟(jì)大學(xué)、中科院微電子所等單位的課題負(fù)責(zé)人分別介紹了各課題的具體任務(wù)及實(shí)施方案。

項(xiàng)目咨詢專家組成員從各自專業(yè)角度為項(xiàng)目及課題實(shí)施提出了咨詢意見。中國(guó)計(jì)量院相關(guān)部門負(fù)責(zé)人介紹了項(xiàng)目管理和經(jīng)費(fèi)管理的制度辦法。

據(jù)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人楊雁介紹，集成電路產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展離不開片上精密測(cè)試與計(jì)量技術(shù)。當(dāng)前，對(duì)片上關(guān)鍵特征參數(shù)的高精度檢測(cè)與量值溯源是集成電路工藝中亟需解決的共性計(jì)量問題。該項(xiàng)目以研制片上納米幾何量與電學(xué)量計(jì)量核心器件及相關(guān)計(jì)量裝置為目標(biāo)，擬建立面向集成電路片上膜厚、高密度光柵及位移傳感、電容和功率參數(shù)的計(jì)量校準(zhǔn)能力，并開展相應(yīng)成果的應(yīng)用示范。

項(xiàng)目將突破片上膜厚、高密度光柵、電容和微波功率標(biāo)準(zhǔn)器件的制備和計(jì)量技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)片上膜厚和高密度光柵及位移傳感的高精度溯源，解決片上微小電容與微波功率參數(shù)定標(biāo)溯源技術(shù)不足與標(biāo)準(zhǔn)芯片缺失的難題。該項(xiàng)目的完成，將有助于提高集成電路產(chǎn)業(yè)鏈經(jīng)濟(jì)質(zhì)量效益和核心競(jìng)爭(zhēng)力，助力我國(guó)半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。(文：張欣、石亞楠 )