9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導體基地開始由廠房建設(shè)階段進入量產(chǎn)準備階段，標志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成，同時也標志著中國半導體創(chuàng)新史步入一個新紀元。
該項目建成后將成為全球最大的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，滿產(chǎn)后將實現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片，產(chǎn)品將為5G移動通信、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、無人駕駛、手機快充等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展提供核心電子元器件。
英諾賽科蘇州第三代半導體基地位于江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新區(qū)，總占地24.5萬平方米，屬于江蘇省重點項目，一期投資總額超60億元人民幣。項目預計今年年底進入試生產(chǎn)階段。
英諾賽科相關(guān)負責人表示，氮化鎵功率芯片量產(chǎn)線的通線投產(chǎn)，填補了我國高端半導體器件的產(chǎn)業(yè)空白，同時也意味著制約我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)瓶頸得到突破。
特別聲明：以上內(nèi)容(如有圖片或視頻亦包括在內(nèi))為自媒體平臺“機電號”用戶上傳并發(fā)布，本平臺僅提供信息存儲服務(wù)
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of JDZJ Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
