氮化鋁陶瓷散熱基片具有超過170W/m·k的高熱導(dǎo)率(為氧化鋁的7倍)、較低的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗、可靠的絕緣性能，優(yōu)良的力學(xué)性能，無毒，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，為理想的絕緣散熱基板和封裝材料，廣泛應(yīng)用于大規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體模塊電路及大功率器件等高技術(shù)領(lǐng)域。如：高功率微波射頻器件、高亮度LED、光電通訊、半導(dǎo)體零件、電力電子器件等等。
目前高功率LED黏著基板大致有硅基板與陶瓷基板，陶瓷基板又分為氧化鋁基板與氮化鋁基板，其中氮化鋁基本的散熱效益是硅基板的1.4倍，更為氧化鋁基板的7倍之多。因此氮化鋁基板應(yīng)用于高功率LED的散熱效益顯著，進而大幅提升LED的使用壽命。相較于硅基板，氮化鋁基板可提升LED壽命3,000——4,000小時;與氧化鋁基板相較，更可高出6,000——7,000小時以上。
過去的制程方法，都利用粉末冶金的技術(shù)生產(chǎn)氮化鋁基片，經(jīng)過粉末混合、壓合成型及燒結(jié)等方式來生產(chǎn)制造氮化鋁陶瓷散熱片，本計劃將研究使用傳統(tǒng)表面熱處理的制程技術(shù)開發(fā)高散熱氮化鋁的基材，以運用在提升LED散熱性能技術(shù)之開發(fā)，具有高量產(chǎn)性與低成本的特性。未來本計劃若能順利完成預(yù)期目標(biāo)，不但具有技術(shù)移轉(zhuǎn)授權(quán)的潛力，同時亦可輔導(dǎo)傳統(tǒng)熱處理產(chǎn)業(yè)升級至半導(dǎo)體與光電產(chǎn)業(yè)，深具投資開發(fā)潛能。
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