產(chǎn)品詳情
DCS系統(tǒng)備件:ABB、siemens、Moore、Foxboro
Emerson、Yokogawa、Woodward
ESD系統(tǒng)備件:Triconex、Hima,Bently、ICS
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演示本身并不復(fù)雜,一個(gè)照相機(jī)實(shí)時(shí)拍一張照片,然后將照片分別存儲到EEPROM和FRAM中,直觀的比較圖像數(shù)據(jù)寫入過程中EEPROM和FRAM的性能差異。在此演示中,采用并口傳輸數(shù)據(jù),F(xiàn)RAM大概用了0.19秒存儲數(shù)據(jù),而EEPROM大概用了6.23秒;FRAM存儲數(shù)據(jù)的比特率約為808kB/s,而EEPROM存儲數(shù)據(jù)的比特率約為24kB/s;功耗方面,F(xiàn)RAM約為0.4mWs,而EEPROM約為61.7mWs。FRAM的快速讀寫和超低功耗特性顯而易見。
“‘多’、‘快’、‘省’可以形象的概括出FRAM的特點(diǎn)?!唷傅氖荈RAM的高讀寫耐久性(1萬億次)的特點(diǎn),可以頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài);‘快’指的是FRAM的高速燒寫(是EEPROM的40000倍)特性,這可以幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)者解決突然斷電數(shù)據(jù)丟失的問題;‘省’指的是FRAM超低功耗(是EEPROM的1/1,000)特性,特別是寫入時(shí)無需升壓?!辈陶裼钪赋觥?br />
FRAM除了和EEPROM相比具有明顯優(yōu)勢外,其相比其他的存儲器,如FLASH和SRAM,也在性能上更勝一籌,如下圖3所示,為其性能比較。
IC646PME005
IC646PME025
IC646PME050
IC646PME100
IC646PMESCH
IC646PPA364
IC646PPA374
IC646PPA772
IC646PPA935
IC646TBPAS010
IC646TBPAS025
IC646TBPAS050
IC646TBPAS100
IC646TBPAS500
IC646TDV000
IC647PRTEE005C
IC647PRTEE005M
IC647PRTEE010C
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IC647PRTEE025C
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IC647PRTEE050C
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IC647PRTEE100C
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IC647PRTHE001M
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IC647PRTHE002M
IC647PRTHE005C
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IC647PRTHE010C
IC647PRTHE010M
IC647PRTHE025C
IC647PRTHE025M
IC647PRTHE050C
IC647PRTHE050M
IC647PRTHE100C
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IC647PRTKIT002C
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IC647PRTKIT005C
IC647PRTKIT005M
IC647PRTORAC
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IC647PRTOSIC
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IC647PRTSQLC
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IC647PSF000
IC647PSF025
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IC647PSF200
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