產(chǎn)品詳情
LVS光源LV-DRT-46R-IR,JOKWANG,JRV-SF31減壓閥
振蕩器參數(shù)設(shè)置
振蕩f 與RC有以下近似關(guān)系f=1/2.2Rt?Cr（Vdd=10V）。如考慮振蕩器的性，由于器件參數(shù)的差異而引起的振蕩周期的變化Rs>Rt（Rs=10Rt時(shí)，振蕩周期基本上不隨Vdd的變化而變化）為保證振蕩能可靠起振。在選擇Rt與Ct時(shí)應(yīng)注意其條件，Rt>1KΩ?Cr>1000Pf，否則很難保證振蕩電路可靠起振。
在實(shí)際使用的時(shí)間繼電器，往往需要控制時(shí)間連續(xù)可調(diào)，為保證時(shí)間可調(diào)，則振蕩回路Rt可選擇線性X型可調(diào)電位器。延時(shí)電容可選擇性好的CBB聚丙烯電容，時(shí)間繼電器標(biāo)牌延時(shí)刻度可根據(jù)所選擇的可調(diào)電位器機(jī)械行程的偏轉(zhuǎn)角度來定，從而使設(shè)定時(shí)間值（標(biāo)牌刻度示值）與實(shí)際延時(shí)值相吻合，以整定誤差。
譬如要設(shè)置10s，可將Rt選擇，1MΩ可調(diào)電位器，Ct可選擇104 pF，輸出分頻端從15腳Q10引出，則大
延時(shí)值為11S，因集成是在時(shí)鐘脈沖下降沿的作用下作增量計(jì)數(shù)，則大延時(shí)時(shí)間Tmax=2 n-1 ? t= 2 10-1 ?2?2? RtCt= 2 9 ?2?2? 106×104×10-12 =11s。
當(dāng)4060集成振蕩器部分也可配晶振，使之構(gòu)成典型的晶體振蕩器，在此就不多加贅述。
該專用芯片采用CMOS工藝，具有微功耗，抗能力強(qiáng)（內(nèi)部采用硬件編程），外配石英振蕩器，多種時(shí)基選擇，具有通電延時(shí)和間隔定時(shí)兩種工作。四位延時(shí)整定，具有BCD碼輸出，可配譯碼器LED數(shù)碼管驅(qū)動顯示延時(shí)時(shí)間。具有延時(shí)精度高、顯示直觀、延時(shí)整定方便等優(yōu)點(diǎn)?，F(xiàn)有逐步替代常規(guī)的CMOS計(jì)時(shí)分頻集成電路的趨勢。
可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然，如果Ea極性反接，BGBG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)，可控硅也不能工作。反過來，Ea接成正向，而發(fā)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了?？煽毓柽@種通過觸發(fā)（小的觸發(fā)電流）來控制導(dǎo)通（可控硅中通過大電流）的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。普通可控硅的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)（a），相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照二極管的，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極。LVS光源LV-DRT-46R-IR,JOKWANG,JRV-SF31減壓閥LVS光源LV-DRT-46R-IR,JOKWANG,JRV-SF31減壓閥
LVS光源LV-DRT-46R-IR,JOKWANG,JRV-SF31減壓閥LVS光源LV-DRT-46R-IR,JOKWANG,JRV-SF31減壓閥
